Компания Toshiba сообщила о выпуске новых компонентов флэш-чипов MLC NAND, которые изготавливаются по нормам 24-нанометрового технологического процесса. Так, в рамках нового производства налажен выпуск компонентов, позволяющих хранить 2 бита данных в каждой ячейке памяти (2 bit-per-cell). При этом емкость одного чипа достигает максимального значения 64 Гб (8ГБ). При производстве новинок используется технология DDR (double data rate toggle mode), которая обеспечивает повышение скорости передачи данных. Такие устройства уже запущены в массовое производство и должны появиться на рынке в составе готовых продуктов уже в скором времени.
Также Toshiba планирует наладить в скором времени выпуск 24-нанометровых флэш-чипов, способных хранить 3 бита данных в одной ячейке (3 bit-per-cell). Как ожидается емкость подобных устройств составит 32 Гб (4 ГБ). В них также предусмотрено использование технологии DDR.
Отмечается, что новинки отличаются компактными размерами, низким уровнем энергопотребления и тепловыделения. Они предназначены для применения в составе мобильных телефонов, смартфонов, цифровых камкордеров.