Компания Toshiba сообщила о начале использования 24-нанометрового технологического процесса для производства встраиваемых чипов флэш-памяти NAND, которые ориентированы на применение в составе широкого перечня устройств: планшетов, смартфонов, устройств для чтения электронных книг, цифровых камер, мультимедийных проигрывателей и принтеров.
Новая разработка позволяет производительность и емкость таких чипов памяти по сравнению с существующими решениями. Кроме того, за счет использования более тонкого технологического процесса появилась возможность создавать чипы памяти высокой емкости, обладающие меньшими размерами, что позволяет более рационально использовать поверхность печатной платы мобильных устройств. Отмечается, что новые устройства e-MMC toggle-mode DDR (double data rate) NAND соответствуют стандарту JEDEC e-MMC Version 4.41. Toshiba намерена наладить производство чипов памяти емкостью 2, 4, 8, 16, 32, 64 и 128 ГБ. Более подробные данные о таких устройствах доступны в таблице.
| Емкость | Размеры упаковки | Доступность образцов | Массовое производство |
| 2 ГБ | 11,5х13,0х1,0 мм | 4 квартал 2011 года | 1 квартал 2012 года |
| 4 ГБ | 11,5х13,0х1,0 мм | 3 квартал 2011 года | 4 квартал 2011 года |
| 8 ГБ | 11,5х13,0х1,0 мм | Уже доступны | 3 квартал 2011 года |
| 16 ГБ | 12,0х16,0х1,2 мм | Уже доступны | 3 квартал 2011 года |
| 32 ГБ | 12,0х16,0х1,2 мм | Уже доступны | 3 квартал 2011 года |
| 64 ГБ | 14,0х18,0х1,2 мм | Уже доступны | 3 квартал 2011 года |
| 128 ГБ | 14,0х18,0х1,2 мм | 3 квартал 2011 года | 4 квартал 2011 года |