Компания Toshiba представила новые чипы флеш-памяти DDR (double data rate toggle mode) NAND, которые отличаются более высокими скоростными характеристиками работы по сравнению с традиционными чипами. Это объясняется применением более скоростного интерфейса, способного передавать большее количество данных за единицу времени. Так, устройства DDR NAND способны осуществлять до 133 млн передач в секунду, что более чем в 3 раза превышает показатель (40 млн передач) современных чипов SLC (single level cell) NAND.
Новинки изготавливаются по нормам 32-нанометрового технологического процесса. При этом на базе технологии DDR NAND могут производиться флеш-чипы MLC (multi level cell) и SLC (single level cell). Несмотря на повышение скоростных характеристик новых флеш-чипов, отмечается, что их энергопотребление находится на более низком уровне, чем у современных устройств. Новые модели работают в асинхронном режиме, аналогично большинству современных флеш-чипов.
Сообщается, что Toshiba намерена поставлять флеш-чипы DDR NAND емкостью 32, 64 и 128 Гб (4, 8 и 16 ГБ), однако сроки начала продаж и уровень цен таких устройств пока не сообщается. Основной сферой применения новинок называются твердотельные накопители, мультимедийные проигрыватели, смартфоны, интернет-планшеты. Напомним, некоторое время назад компания Samsung представила SSD на базе флеш-чипов DDR NAND.
Toshiba отмечает, что производительность чипов DDR NAND в скором времени может быть еще повышена. Второе поколение таких устройств может обеспечивать до 400 млн передач в секунду, однако пока неизвестно, когда состоится его релиз.