Новинка изготавливается по нормам 19-нанометрового технологического процесса на базе технологии MLC two-bit-per-cell. Чип имеет емкость 8 ГБ и обладает компактными размерами. Точные размеры чипа не сообщаются, однако отмечается, что он является самым маленьким устройством в своем классе. По заверениям разработчиков, благодаря использованию данного устройства можно в два раза повысить емкость хранилища мобильных устройств. Так, в одной упаковке может быть размещено до 16 чипов, таким образом, суммарная емкость упаковки составляет 128 ГБ. Данная модель обладает поддержкой технологии Toggle DDR2.0, что обеспечивает высокую скорость передачи данных. Новый 19-нанометровый чип флэш-памяти NAND уже доступен в виде отдельных образцов и начнет поставляться для тестирования заинтересованным заказчикам в конце этого месяца. Перечень заказчиков не разглашается. Массовое производство новинки должно быть запущено летом этого года. Ее цена пока не сообщается.
Также отмечается, что Toshiba намерена выпустить в рамках 19-нанометрового технологического процесса чип флэш-памяти NAND на базе технологии three-bit-per-cell, что позволит повысить емкость устройства при неизменных размерах. Однако точные сроки релиза такой модели пока не сообщаются.