Компания Toshiba сообщила об успешном создании прототипа памяти FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory — сегнетоэлектрическая энергонезависимая память с произвольным доступом к ячейкам) емкостью 128 Мб, который способен обеспечивать скорость чтения/записи 1,6 Гб/с. Данное устройство было произведено по нормам 130-нанометрового технологического процесса на основе новой архитектуры, которая препятствует снижению мощности сигнала. При этом новинка имеет интерфейс DDR2, напряжение питания составляет 1,8 В, а время одного цикла заявлено на уровне 83 нс.
Особенностью памяти типа FeRAM является сочетание в себе характеристик устройств DRAM (скоростные характеристики) и NAND (способность сохранять данные даже при отключении питания). Подробности здесь.
Компания Toshiba намерена и далее развивать данную технологию с целью внедрения памяти FeRAM в мобильные телефоны, мобильную потребительскую электронику, ноутбуки и твердотельные накопители.