Стало известно, что компания TSMC не намерена осваивать 22-нанометровый технологический процесс производства чипов, а после 28-нанометрового техпроцесса собирается перейти сразу к 20-нанометровому. Также под сокращение попал и 18-нанометровый технологический процесс. Отказ от использования некоторых промежуточных технологических процессов объясняется экономической целесообразностью. Дело в том, что затраты на освоение каждой технологии приблизительно одинаковы. Таким образом, для освоения трех технологических процессов (22-, 20- и 18-нанометровых) потребуется в три раза больше ресурсов. К тому же освоение каждой новой технологии требует решения множества проблем технологического характера. Потому более рационально разработать один технологический процесс, который принесет максимальный эффект.
Ожидается, что в рамках 20-нанометрового технологического процесса компания TSMC будет использовать 10-слойную структуру проводников совместно с планарной технологией. При этом планируется применять материалы с высоким значением диэлектрической константы и транзисторы с металлическим затвором, а также медные соединения с низким значением сопротивления. В то же время решено отказаться от использования диоксида кремния. Также планируется использовать 193-нанометровую иммерсионную литографию.
Отмечается, что первоначально в рамках 20-нанометрового технологического процесса будут выпускаться высокопроизводительные чипы, а затем планируется приступить к производству устройств с низким энергопотреблением. Ожидается, что 20-нанометровое производство будет налажено ко второй половине 2012 года.