Компания Sony анонсировала первый в отрасли трехслойный сенсор типа CMOS со встроенной памятью DRAM для смартфонов.
Как явствует из предыдущего предложения, новинка характеризуется многослойной компоновкой – вдобавок к двум стандартным слоям (кристалл датчика со светочувствительными ячейками и технологией обратной засветки и кристалл с цепями обработки сигнала) был добавлен третий слой – микросхема DRAM. В общем, рассмотреть конструкцию сенсора в деталях позволяют изображения ниже.
Благодаря этому новый сенсор позволяет снимать замедленное видео slow-motion в формате Full HD (1920×1080 пикселей) со впечатляющей скоростью 1000 к/с, а это, на минуточку, примерно восемь раз быстрее по сравнению с присутствующими сейчас на рынке моделями. Также говорится, что съемка осуществляется с минимальными искажениями в фокальной плоскости. И все это благодаря встроенной DRAM.
Смартфоны iPhone 7 и Google Pixel, обладающие лучшими мобильными камерами на рынке, к примеру, позволяют вести замедленную видеосъемку в формате Full HD с максимальной скоростью 120 к/с. К слову, 1000 fps это даже больше, чем у камеры Sony RX 100 V, которая снимает максимум со скоростью 960 fps.
Sony предоставила специальное видео, которое позволяет визуально оценить преимущества от съемки при столь высокой кадровой частоте.
Возможности по части съемки фото впечатляют не меньше. Благодаря применению памяти DRAM с высокой пропускной способностью и конвертера аналогового видео в цифровое новой конструкции (четырехслойная микросхема вместо двухслойной) сенсор способен делать снимки разрешением 19,3 Мп за 1/120 секунды. По словам Sony, это в четыре раза быстрее максимальных возможностей современных сенсоров, которые есть сейчас на рынке. Разницу между фотографиями, снятыми за 1/30 с и 1/120 с можно увидеть ниже.
Из остальных ключевых спецификаций можно отметить оптический формат датчика — 1/2,3 дюйма, эффективное разрешение — 21,2 Мп и размер светочувствительной ячейки – 1,22 мкм.
Увы, когда ждать первых смартфонов с камерами на этом сенсоре, пока неизвестно.