Корпорация SRC (Semiconductor Research Corporation) совместно с исследователями из Йельского университета разработали способ значительно повысить производительности чипов памяти DRAM. Улучшения основаны на применении сегнетоэлектрических (или ферроэлектрических) слоев, в результате чего отпадает необходимость использования конденсаторов, как это происходит при создании нынешних ячеек чипов DRAM. Такие ячейки получили название FeDRAM (Ferroelectric DRAM), они имеют такую же структуру, как и CMOS транзисторы, но вместо диэлектрических затворов применяются сегнетоэлектрические.
По заявлениям разработчиков, преимущества такого подхода заключаются в значительно возросшей масштабируемости конечных продуктов, уменьшении размеров ячеек, увеличение времени сохранения (минимум, в 1000 раз), а также снижение энергопотребления. Также новая структура позволяет хранить несколько бит данных в одной ячейке, как это происходит во флэш-чипах памяти. Кроме того, производство подобных чипов памяти значительно упрощается, что ведет к снижению их себестоимости.
В настоящее время исследователи работают над созданием рабочих прототипов ячеек памяти FeDRAM, а также пытаются построить из них простые блоки и цепи для масштабирования. Сообщается, что массовое производство чипов памяти FeDRAM может начаться уже в недалеком будущем, но конкретные сроки пока не называются.