Новые чипы флэш-памяти, которые значительно превышают существующие разработки по сроку службы, были созданы учеными Национального института передовых промышленных наук и технологий, а также Университета Токио.
Чипы флэш-памяти сегодняшнего поколения могут работать около 10 лет и быть перезаписанными не более 10000 раз, японские ученые создали ферроэлектрическую NAND флэш-память, которая выполнена по 10 нм технологическому процессу и может быть перезаписана более чем 100 миллионов раз.
Причиной такого продолжительного срока службы ферроэлектрической флэш-памяти является использование процесса равномерного износа, при котором все ячейки памяти используются одинаково, а отработавшие свой срок просто обходятся, без необходимости заменять весь диск.
Кроме этого, новая флэш-память обладает низким показателем энергопотребления, который составляет всего 6 Вольт при перезаписи, в то время как обычные чипы используют 20.