Твердотельные накопители серии Samsung 850 EVO были представлены еще в конце 2014 года. Несмотря на почтенный, по меркам компонентов такого плана возраст, SSD данной серии все еще остаются на первых позициях в рейтинге популярности накопителей на hotline.ua. Оправдан ли повышенный интерес к устройствам данной линейки мы попробуем выяснить, познакомившись поближе с 500-гигабайтовой версией Samsung 850 EVO.
История накопителей линейки Samsung 850 EVO началась еще в 2014 году. Тогда впервые для SSD начали использоваться многослойные микросхемы флеш-памяти 3D V-NAND c трехбитовыми ячейками TLC. Изначально для накопителей применялась память 3D V-NAND TLC второго поколения. Эти чипы состояли из 32 слоев и производились по нормам 40 нм. В середине 2016 года Samsung начала использовать для моделей серии 850 EVO новые 3D-чипы уже третьего поколения с 48-слойной архитектурой и увеличенной плотностью компоновки. При этом название не только серии, но даже моделей не изменились.
Использование других чипов теоретически могло бы повлиять на производительность и надежность накопителей, однако производителю удалось сохранить заявленные показатели на прежнем уровне. Проведенные после обновления тестирования показали, что производительность Samsung 850 EVO первой волны и моделей с 3D V-NAND TLC третьего поколения практически идентична, а уменьшение техпроцесса изготовления чипов не сказалась на количестве доступных циклов перезаписи. По этой причине нет никакого смысла выискивать ранние модификации, доступные в продаже Samsung 850 EVO второй ревизии ни в чем не уступают предшественникам, разве что немного экономичнее.
На момент анонса линейка Samsung 850 EVO включала накопители объемом 120 ГБ, 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. Со временем были также представлены модели емкостью 2 ТБ и 4 ТБ.
Для моделей 120–500 ГБ используется двухъядерный контроллер Samsung MGX, тогда как для старших версий емкостью 1–4 ТБ применяется еще более скоростной трехъядерный чип Samsung MHX. Накопители также оснащаются кеш-буферами, емкость которых также зависит от объема SSD. 120-гигабайтовая версия имеет 256 МБ, накопители на 250 ГБ и 500 ГБ получили 512 МБ, тогда как версия на 1 ТБ оснащена кеш-буфером на 1 ГБ, 2 ТБ – 2 ГБ, а 4 ТБ – целых 4 ГБ. Во всех случаях используется память стандарта LPDDR3.
Накопитель предлагается в картонной коробке средних габаритов. SSD внутри закреплен в дополнительной пластиковой оболочке, защищающей устройство во время транспортировки.
В комплекте имеется гарантийный талон, инструкция по быстрой установке и диск с цифровой версией руководства, а также сервисными приложениями.
Накопитель имеет металлический корпус толщиной 7 мм. На лицевой панели нанесено лишь наименование производителя, тип устройства, а также небольшой стрелкой отмечена сторона с интерфейсным разъемом.
Тыльную панель устройства прикрывает крупная наклейка, на которой указаны название модели, объем, серийный номер и базовые требования к источнику питания.
Для подключения SSD предусмотрены стандартные SATA-коннекторы.
Что касается скоростных характеристик, то для Samsung 850 EVO заявлены линейные скорости чтения/записи на уровне 540/520 МБ/c. Производительность при работе с 4К-блоками минимально отличается в зависимости от объема. Для накопителя на 500 ГБ это 98 000 IOPS на операциях чтения (4К, QD32) и 90 000 IOPS при записи. Для ситуаций с глубиной очереди запросов QD1, накопитель должен обеспечивать на операциях чтения до 10 000 IOPS, записи – до 40 000 IOPS.
Накопители конечно поддерживают S.M.A.R.T., TRIM и алгоритм Garbage Collection. Кроме того, на Samsung 850 EVO реализована поддержка режима Device Sleep для снижения потребления в простое и аппаратное шифрование AES 256-бит, а также TCG/Opal 2.0 и IEEE-1667.
Время наработки на отказ (MTBF) составляет 1,5 млн. часов. При этом гарантированный объем записанных данных (TBW, Total Bytes Written) для накопителя объемом 500 ГБ составляет 150 ТБ. Срок гарантии – 5 лет. Учитывая значение TBW, несложно вычислить, что ежедневный условный лимит записи в течение гарантированного рабочего периода составляет порядка 84 ГБ. Обратим внимание на то, что в данном случае речь идет не о надежности накопителя, а гарантийных условиях производителя. Это 5 лет или 150 ТБ записи, в зависимости от того, что наступит раньше.
TBW лишь косвенно говорит о фактических возможностях накопителей. Как показывают ресурсные тесты, возможное количество записанных данных может на порядок превосходить гарантированный объем. Однако, TBW все же стоит учитывать, если вы рассчитываете на гарантию производителя.
После форматирования доступная емкость накопителя составляет 466 ГБ. При выборе накопителя определенной емкости важно не забывать о сопутствующих потерях при переводе миллиардов доступных байтов в гигабайты.
Производитель предлагает утилиту Samsung Data Migration для переноса системного раздела с текущего накопителя на новый SSD.
Для управления и сервисного обслуживания предлагается фирменное приложение Samsung Magician. Здесь можно оценить фактическое количество записанных данных, просмотреть состояние S.M.A.R.T., провести полную очистку накопителя и даже оценить производительность SSD.
Исследовать скоростные возможности MZ-75E500B мы начали с предлагаемого производителем приложения.
Согласно внутреннему тесту Samsung Magician, линейная скорость чтения накопителя может составлять почти 550 МБ/c, записи – 530 МБ/c. При этом производительность при произвольном доступе на операциях чтения оказалась очень близка к заявленным показателям – 97 300 IOPS для чтения и 88 200 IOPS для записи.
Приложение ATTO демонстрирует схожие пиковые показатели.
Почти 5500 баллов в Anvil’s Storage Utilities – это очень достойный общий результат, который складывается из хороших показателей как линейных трансферов, так и работы с мелкими блоками. Здесь опять видим 95 000 IOPS для чтения 4K QD16 и 87 500 IOPS на записи.
Crystal Disk Mark 5.2.1 и AS SSD Benchmark с некоторыми особенностями, но в целом подтверждают полученные ранее результаты.
Общие 4996 балла в тесте накопителей из пакета PCMark 8 в целом малоинформативны, а вот пропускная способность в 294 МБ/c куда более показательна. Это один из лучших результатов для SATA-устройств. Напомним, что в данном тесте генерируется нагрузка идентичная той, что возникает при использовании реальных приложений, представленных в итоговом списке.
Чтобы увеличить скорость записи для Samsung 850 EVO используется механизм TurboWrite. Фактически речь идет о классическом SLC-буфере для которого выделяется часть объема накопителя – 6 ГБ в случае с накопителем на 500 ГБ. Для SSD на базе флеш-памяти c TLC такой массив зачастую оказывается очень полезен. Но, здесь случай особый. Несмотря на то, что Samsung 850 EVO также использует память с трехбитными ячейками, изначально повышенную скорость записи позволяет поддерживать трехмерная компоновка 3D V-NAND и производительный двухъядерный процессор Samsung MGX с восьмиканальным доступом к массиву флеш-памяти. В совокупности, на графике последовательной записи в AIDA64 мы видим прямую линию на уровне 500 МБ/c. Характерного для накопителей на базе TLC падения производительности после исчерпания SLC-буфера не происходит.
На копирование трех файлов общим объемом 18,8 ГБ с системного накопителя на Samsung 850 EVO понадобилось 42 секунды, то есть скорость реальной записи на SSD составила порядка 458 МБ/c. Даже после исчерпания SLC-буфера темп записи не снижался.
1000 фотографий объемом 5,24 ГБ залетели на Samsung 850 EVO за 14,2 секунды.
В условиях открытого стенда во время покоя температура накопителя держится на уровне 26–28 градусов. После 15-минутной непрерывной записи во время экспериментов в AIDA64 температура контроллера SSD на пике повысилась до 51С. В целом это приемлемое значение для таких условий использования. При этом корпус устройства оставался едва теплым на ощупь, а на табло бесконтактного термометра отображались 39–40С.
Samsung 850 EVO MZ-75E500B объемом 500 ГБ предлагается на рынке по цене порядка 4700 грн. ($177). Это точно не самая доступная модель подобной емкости на базе TLC. Более того, накопитель стоит даже несколько дороже некоторых SSD с микросхемами MLC. Однако, по одному лишь типу памяти определять возможности накопителя – слишком наивно и недальновидно. Тем более, когда речь идет не о планарных чипах, а 3D V-NAND. В целом, текущая стоимость выглядит чуть выше той, которую хотелось бы видеть, но, с учетом реальных возможностей накопителя, цена кажется оправданной.