DRAM y NAND en un solo chip — los investigadores crean una memoria con cambio de fase que consume poca energía
Investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea del Sur (KAIST) han desarrollado un nuevo tipo de memoria de cambio de fase que no presenta los inconvenientes de las iteraciones anteriores de esta tecnología.
Micron presenta módulos RAM DDR5-8800 de 256 GB
En el evento de la Conferencia sobre Tecnología para la GPU (GTC) de NVIDIA, Micron presentó módulos DIMM MCR DDR5-8800 de 256 GB de gran capacidad. Estos módulos están diseñados para servidores de última generación, incluidos los equipados con procesadores Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Anteriormente, la empresa anunció que los…