Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET
Скопируйте и вставьте этот URL на ваш сайт под управлением WordPress
Скопируйте и вставьте этот код на ваш сайт