Современные твердотельные накопители обеспечивают более высокие скоростные показатели по сравнению с жесткими дисками, но проигрывают им в емкости и стоимости. Компания Intel обещает устранить эти недостатки при помощи нового типа флэш-памяти 3D Vertical NAND (3D V-NAND).
В рамках проведения мероприятия Investor Meeting 2014 было объявлено, что во второй половине 2015 года совместное предприятие Intel и Micron — Intel Micron Flash Technologies (IMFT) — приступит к массовому производству чипов флэш-памяти 3D V-NAND емкостью 256 Гбит (многоуровневые ячейки, 2 бита данных на ячейку) и 384 Гбит (трехуровневые ячейки, 3 бита данных на ячейку). Такие чипы памяти получат 32-слойную структуру, включающую вертикальные массивы ячеек, которые взаимосвязаны при помощи 4 млрд соединений TSV (through silicon via).
Благодаря использованию новых флэш-чипов производители смогут выпускать SSD немыслимой на сегодняшний день емкости. По словам исполнительного вице-президента и главного управляющего подразделения Intel по энергонезависимой памяти Роба Крука (Rob Crooke), с помощью чипов 3D V-NAND в ближайшие два года удастся создать SSD емкостью 10 ТБ и более. Причем, такие накопители будут обладать более доступной ценой, чем современные решения высокой емкости на базе твердотельной памяти.
Но такая большая бочка меда не могла оказаться без ложки дегтя. Дело в том, что IMFT обладает ограниченными производственными мощностями и может изготавливать лишь 70 тыс 300-миллиметровых кремниевых пластин в месяц. И этот ресурс используется для изготовления всех типов памяти. Компании Intel и Micron могут предоставить еще 80 тыс и 40 тыс пластин в месяц, соответственно. Этого явно недостаточно для проведения революции в отрасли. Для сравнения, Samsung может производить 100 тыс 300-миллиметровых кремниевых пластин в месяц на фабрике, выделенной для выпуска чипов 3D V-NAND. Также Samsung может выпускать флэш-чипы 3D V-NAND и на других фабриках общей производственной мощностью 400 тыс пластин. Но Samsung ограничена в технологическом плане. Она может производить 24- и 32-слойные чипы 3D V-NAND емкостью 128 Гбит по нормам 42-нанометрового технологического процесса. Причем, из этих 128 Гбит лишь 86 Гбит являются видимыми.
Источник: Kitguru