3D V-NAND

Samsung анонсировала терабитный чип V-NAND, позволяющий создавать SSD высокой ёмкости

Samsung приступила к массовому производству первых SSD NVMe объемом 512 ГБ, выполненных в виде микросхем BGA

Максимальный объем компактного внешнего SSD Samsung T3 с интерфейсом USB 3.1 и разъемом USB Type-C достигает 2 ТБ


Емкость SSD может превысить 10 ТБ благодаря флэш-чипам 3D V-NAND от Intel


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: