Компания Globalfoundries представила новую транзисторную архитектуру FinFET XM (eXtreme Mobility), которая изначально оптимизирована для создания мобильных систем-на-чипе. Такие системы-на-чипе станут основой мобильных устройств следующих поколений.
Как сообщает разработчик, эта архитектура основана на трехмерных FinFET транзисторах, которые обеспечивают более высокую производительность и большую энергоэффективность готовых решений по сравнению с традиционными транзисторами. Также сообщается, что для изготовления мобильных систем-на-чипе на базе новой архитектуры планируется применять 14-нанометровый технологический процесс, который обеспечит дополнительный прирост энергоэффективности. По предварительным прогнозам, внедрение новой производственной технологии изготовления чипов, включающей трехмерные транзисторы и 14-нанометровый технологический процесс, обеспечит увеличение времени автономной работы мобильных устройств на базе новых чипов на 40-60% по сравнению с современными чипами, для производства которых применяются традиционные двухмерные планарные транзисторы и производственные процессы 20-нанометровых классов (при прочих равных условиях).
Новая технология в настоящее время все еще находится в процессе разработки. На одной из фабрик Globalfoundries уже запущено тестовое производство кремниевых чипов на ее основе. Ожидается, что новые устройства станут доступны на рынке уже в следующем году.