Ученые из исследовательского подразделения HP разработали технологию, которая позволила использовать для создания чипов памяти так называемые мемристоры вместо традиционного кремния. Впервые такой элемент был создан еще в 1971 году, но лишь в 2008 он нашел свое применение в лабораториях HP. Особенностью мемристора является то, что его сопротивление зависит от полярности прилагаемого напряжения и у данного элемента есть эффект памяти.
Главной проблемой в использовании мемристоров в качестве ячеек памяти являлась их низкая скорость переключения из одного состояния в другое. Ученые из HP решили ее, доведя скорость переключения до показателей, сопоставимых с кремниевыми элементами. К тому же мемристоры конструктивно намного проще современных кремниевых транзисторов, используемых в чипах памяти, и при этом они способны хранить информацию без постоянной электрической подпитки.
Среди плюсов новой технологии HP выделяет возможность создания трехмерных массивов из ячеек памяти на основе мемристоров. В течение ближайших лет ученые обещают добиться плотности записи в 20 ГБ на квадратный сантиметр, но это лишь начало. Новая разработка обладает огромнейшим потенциалом в сравнении с традиционными кремниевыми технологиями, которые практически достигли своего предела миниатюризации. Например, наиболее продвинутые кремниевые электронные элементы обладают размерами 30-40 нанометров, в то время как уже существуют полностью функциональные 3-нанометровые мемристоры, способные переключаться от одного состояния к другому за одну наносекунду (одна миллиардная секунды).