Корпорации IBM и TDK объявили совместную научно-исследовательскую программу, целью которой станет разработка технологий, предназначенных для создания магниторезистивной памяти (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) с повышенной емкостью.
Принцип действия MRAM основан на изменении сопротивления материала в зависимости от приложенного магнитного поля. Важным преимуществом данного типа памяти является сочетание энергонезависимости и высокой скорости доступа, ключевым недостатком — большой размер ячеек, и, как следствие, малая емкость. В частности, максимальный объем серийно выпускаемого чипа MRAM в настоящий момент составляет лишь 4 Mb.
В совместном заявлении двух компаний отмечается, что IBM принадлежит ведущая роль в развитии MRAM, равно как и в фундаментальных исследованиях, открывших возможность создания данного типа памяти. Корпорация TDK накопила большой опыт применения технологии магнитного туннельного соединения (Magnetic Tunnel Junction, MTJ) в записывающих головках жестких дисков. Оба партнера имеют множество патентов на материалы и технологии магнитной цифровой записи.