Компания IBM сообщила о разработке высокочастотного графенового транзистора, способного работать на частоте около 100 ГГц. Графен является особым видом графита, он представляет собой один слой атомов углерода, связанных в виде гексагональной сотовой решетки. Специфические электрофизические свойства графена позволяют создавать на его основе более быстрые транзисторы. Так, благодаря особенностям кристаллической структуры такого материала электроны могут практически беспрепятственно перемещаться внутри решетки с большими скоростями.
Согласно опубликованным IBM документам, графен может стать основным кандидатом на использование в высокоскоростных электронных устройствах — вплоть до полного замещения кремниевых чипов. Так, при его достаточно малых размерах (толщина слоя графена составляет один атом) есть возможность создавать наиболее миниатюрные и в то же время высокопроизводительные транзисторы, которые не могут быть созданы на основе прочих существующих полупроводниковых материалов.
В качестве доказательства разработанной концепции исследователи из IBM продемонстрировали работу полевого транзистора, выполненного на основе графена. Его рабочая частота оказалась значительно выше современных наилучших транзисторов.
Однако отмечается, что о скором переходе на массовое производство чипов на основе графена говорить пока рано. Одной из основных проблем в данном случае является невозможность выпуска графена в промышленных масштабах при нынешнем уровне технологий. Также пока отсутствуют результаты тестов жизнеспособности нового материала (напомним, графен был впервые получен лишь в 2004 году). По предварительным оценкам, графен придет на смену кремнию в 2025 году.