Новости

IBM разработала высокочастотный графеновый транзистор

Компания IBM сообщила о разработке высокочастотного графенового транзистора, способного работать на частоте около 100 ГГц. Графен является особым видом графита, он представляет собой один слой атомов углерода, связанных в виде гексагональной сотовой решетки. Специфические электрофизические свойства графена позволяют создавать на его основе более быстрые транзисторы. Так, благодаря особенностям кристаллической структуры такого материала электроны могут практически беспрепятственно перемещаться внутри решетки с большими скоростями.

IBM разработала высокочастотный графеновый транзистор

Согласно опубликованным IBM документам, графен может стать основным кандидатом на использование в высокоскоростных электронных устройствах — вплоть до полного замещения кремниевых чипов. Так, при его достаточно малых размерах (толщина слоя графена составляет один атом) есть возможность создавать наиболее миниатюрные и в то же время высокопроизводительные транзисторы, которые не могут быть созданы на основе прочих существующих полупроводниковых материалов.

В качестве доказательства разработанной концепции исследователи из IBM продемонстрировали работу полевого транзистора, выполненного на основе графена. Его рабочая частота оказалась значительно выше современных наилучших транзисторов.

Курс
Recruitment вечірній
Дізнайтеся, як стати pro-рекрутером. Курс із вільним графіком
РЕЄСТРУЙТЕСЯ!
Recruitment вечірній

Однако отмечается, что о скором переходе на массовое производство чипов на основе графена говорить пока рано. Одной из основных проблем в данном случае является невозможность выпуска графена в промышленных масштабах при нынешнем уровне технологий. Также пока отсутствуют результаты тестов жизнеспособности нового материала (напомним, графен был впервые получен лишь в 2004 году). По предварительным оценкам, графен придет на смену кремнию в 2025 году.


Завантаження коментарів...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: