Компании Intel и Micron анонсировали разработку новой технологии производства высокоемких USB флэш-накопителей и карт памяти.
Сообщается, что совместными усилиями инженерам удалось разработать и создать чипы флэш-памяти, которые производятся по нормам 34-нанометрового технологического процесса и способны хранить 3 бита данных на одну ячейку (технология 3-bits-per-cell). В настоящее время при производстве USB флэш-накопителей применяется технология 2-bits-per-cell. Таким образом, новая разработка позволит создавать более емкие устройства при неизменных массо-габаритных характеристиках. В настоящее время Micron уже обладает инженерными образцами таких чипов и планирует начать их массовое производство в четвертом квартале текущего года.
Следует отметить, что компании SanDisk и Toshiba еще в феврале сообщили о разработке технологии 4-bit-per-cell, которая, по заявлениям разработчиков, позволяет создавать наиболее высокоемкие носители информации на базе флэш-чипов памяти.