Новости и статьи по теме ❝Micron❞

Micron анонсировал самый маленький модуль памяти UFS 4.0 на 1 ТБ для смартфонов. Его размеры — 9×13 мм

Micron также отметился в рамках MWC 2024 — ведущий американский чипмейкер анонсировал «самый компактный» модуль флешпамяти стандарта UFS 4.0, чьи размеры составляют лишь 9×13 миллиметров. Объем…

HDD могут потреблять меньше энергии, чем SSD, обеспечивая на 19/94% лучшую плотность питания, — исследование

Твердотельные накопители (SSD) от своего появления считались более энергоэффективными, чем жесткие диски HDD из-за отсутствия движущихся частей и необходимости вращать диски (обычно 5400 или 7200…

Micron представила самую быструю в мире память HBM3 Gen2 (1,2 ТБ/с) и чипы DDR5 на 32 Гб

Micron, ранее представившая чипы DDR5 емкостью 24 Гб, готовится к массовому производству микросхем 32 Гб DDR5 и модулей большей емкости в первой половине 2024 года. Компания сообщила об этом в рамках…

Китай запретил покупку чипов американской Micron, имеющей заводы в стране

Новости IT-бизнес 22.05.2023 в 16:28 comment
Китай запретил покупку некоторых чипов американской Micron. Запрет был реализован после расследования, которое, якобы, выявило угрозы кибербезопасность. Какими бы ни были причины, это выглядит…

Micron создала LPDDR5X 1-beta — «самую быструю» оперативную память для мобильных устройств и не только

Компания Micron рассылает опытные образцы того, что по ее утверждению, является самым передовым в мире технологией DRAM. После массовой поставки 1-alpha в 2021 году новая 1-beta LPDDR5X якобы лучше…

Дефицит поставок неона из-за войны в Украине скажется на производстве чипов через семь-девять месяцев

Новости Новости 30.03.2022 в 11:06 comment
Американский производитель чипов Micron Technology не ожидает в краткосрочной перспективе нехватки компонентов, которые перестали поставляться из Украины.

SK Hynix анонсировала чипы DDR5 рекордной плотности 24 Гбит — на их основе выйдут модули объемом 48 и 96 ГБ

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем DRAM DDR5 с рекордной в отрасли плотностью кристаллов — 24 Гбит.

Спекулянты продают дефицитные модули DDR5 на eBay — цена за комплект достигает $5 тыс.

Сразу после выхода и без того недешевые модули памяти DDR5 (минимум $300–$400 за простейший комплект объемом 32 ГБ), дебютировавшей вместе с платформой Intel Alder Lake и процессорами Intel Core 12-го поколения,…

Micron анонсировала модули памяти Crucial DDR5-4800 — они доступны по одному и в наборах объемом до 64 ГБ

Производители комплектующих в последнее время наперебой анонсируют модули DDR5. Вслед за Kingston, которая анонсировала модули FURY Beast DDR5 одновременно с чипсетом Intel Z690 и процессоров Core 12-го…

MSI ожидает, что память DDR5 будет на 50-60% дороже DDR4

На следующей неделе Intel явит миру массовые настольные процессоры Core 12-го поколения и логику Z690 с поддержкой DDR5, и производители комплектующих уже начали анонсировать новые комплекты памяти и…

SK Hynix анонсировала память HBM3 с рекордной пропускной способностью — 819 ГБ/с

Новости Новости 20.10.2021 в 18:12 comment
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM3 с рекордной в отрасли пропускной способностью.

G.Skill анонсировала наборы модулей памяти Trident Z5 DDR5 с частотой до 6400 МГц

Производители комплектующих вовсю готовятся релизу платформы Intel LGA1700 и процессоров Core 12-го поколения — не отставая от коллег по цеху, G.Skill анонсировала высокопроизводительные наборы…

Samsung начала массовый выпуск памяти DDR5 — по техпроцессу 14-нм с использованием EUV-литографии

Samsung Electronics сообщила о старте серийного производства памяти DRAM DDR5 — южнокорейский производитель сумел первым наладить выпуск 14-нанометровых микросхем DDR5 с использованием литографии в…

JEDEC утвердила стандарт высокоскоростной памяти LPDDR5X — с пропускной способностью до 8533 Мбит/с

Отраслевая организация JEDEC, разрабатывающая стандарты для микроэлектронной отрасли, опубликовала документ JESD209-5B, Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5). Он описывает обновление стандарта памяти LPDDR5 и новый…

TeamGroup анонсировала 32-гигабайтный комплект из двух модулей памяти SO-DIMM DDR5-4800 за 400 долларов

Новости Новости 18.06.2021 в 14:24 comment
Team Group решила первой шагнуть в новую эру DDR5, не дожидаясь релиза первых массовых процессоров с поддержкой стандарта оперативной памяти Double Data Rate 5 — производитель анонсировал 32-гигабайтный…

Samsung начала массовый выпуск многокристальных модулей памяти для смартфонов uMCP — LPDDR5 и UFS 3.1 в одном корпусе

Новости Новости 16.06.2021 в 08:26 comment
Samsung Electronics сообщила о старте серийного производства многокристальных модулей памяти uMCP (UFS-based multichip package) — они сочетают в одном корпусе самые передовые на сегодняшний день кристаллы LPDDR5 DRAM и…

Yolle Developpement: DDR5 обойдёт по поставкам DDR4 к 2023 году

Новости Новости 15.06.2021 в 17:30 comment
На конец этого года Intel запланировала выпуск настольной платформы LGA1700 и процессоров Core 12-го поколения (Alder Lake-S), которые ознаменуют начало эпохи DDR5 в массовом сегменте. Но массовое…

Обзор накопителя Crucial P5 1 ТБ

Обзоры Устройства 27.04.2021 в 12:00 comment
Скоростные накопители формата M.2 NVMe все чаще привлекают внимание владельцев ноутбуков и настольных систем. Разница в цене с рядовыми SATA-устройствами стремительно сокращается, а…

Первые модули DDR5 успешно прошли фазу тестирования

Новости Новости 26.04.2021 в 16:07 comment
Из Китая пришли сообщения, подтверждающие, что как минимум двум производителям удалось наладить выпуск модулей памяти DDR5 спустя всего несколько недель с момента начала поставок…

Micron отказывается от памяти 3D XPoint и собирается продать фабрику по производству таких чипов

Новости Новости 17.03.2021 в 17:53 comment
Компании Micron и Intel начали разработку памяти 3D XPoint в 2012 году, а к 2015 году анонсировали выход линейки накопителей под брендом Optane, оснащённых такой памятью.

Team Group анонсировала модули DDR5 формата SO-DIMM для мини-ПК и ноутбуков

Новости Новости 26.01.2021 в 17:01 comment
Производители компьютерных комплектующих в последнее время наперебой анонсируют выпуск модулей оперативной памяти нового стандарта Double Data Rate 5 (DDR5), соревнуясь за первенство.

У Team Group готовы первые модули DDR5 потребительского уровня

Новости Новости 15.12.2020 в 15:48 comment
Компания Team Group, известная своими добротными модулями ОЗУ, с гордостью сообщила о том, что ей удалось создать первый в мире инженерный образец памяти DDR5 потребительского уровня.

Micron начала производство чипов 176-слойной флэш-памяти 3D NAND

Новости Новости 11.11.2020 в 20:16 comment
Во время проведения мероприятия Flash Memory Summit компания Micron анонсировала выпуск памяти 3D NAND пятого поколения с рекордным количеством слоёв – 176. Ранее компания предлагала 128-слойные чипы…

У SK Hynix готова «первая в мире» память DDR5 DRAM

Новости Новости 06.10.2020 в 13:19 comment
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сегодня сообщил о выпуске «первых в мире» модулей оперативной памяти стандарта DDR5 (Double Data Rate 5). В соответствующем пресс-релизе…

Micron анонсировала HBMnext — следующее поколение высокоскоростной памяти HBM

Новости Новости 17.08.2020 в 08:43 comment
Micron Technology на днях анонсировала следующее поколение памяти HBM под названием HBMnext. К сожалению, анонс пока сугубо номинальный. HBMnext не раскрыла всех подробностей, но кое-что выделить все же…

JEDEC утвердила стандарт оперативной памяти DDR5

Новости Новости 15.07.2020 в 14:06 comment
Отраслевая организация JEDEC, разрабатывающая стандарты для микроэлектронной отрасли, утвердила финальную спецификацию оперативной памяти DDR5 (Double Data Rate 5). Новый стандарт памяти DRAM, широко…

Обзор комплектов памяти Crucial Ballistix DDR4-3600 16 ГБ и Ballistix MAX DDR4-4000 16 ГБ

Обзоры Устройства 16.06.2020 в 17:30 comment
Скоростной оперативной памяти обязательно найдется место в мощных настольных ПК. Для игроков это возможность повысить fps, энтузиастам разгона – хороший объект для экспериментов, ну, и для…

24 Гбит и DDR5-4800 для первого поколения. SK Hynix начнет выпускать чипы DDR5 уже в этом году

Новости Новости 03.04.2020 в 15:46 comment
SK Hynix, демонстрировавшая на выставке CES 2020 в январе готовый модуль памяти DDR5-4800 МГц, подтвердила планы начать серийный выпуск микросхем памяти DRAM DDR5 уже в этом году, а заодно раскрыла немало…

Cadence о DDR5: начальная ёмкость 16 Гбит и скорость 4800 МТ/с, более десятка процессоров с поддержкой DDR5 находятся в разработке

Новости Новости 31.03.2020 в 08:17 comment
Несмотря на то, что JEDEC до сих пор не опубликовала спецификацию оперативной памяти следующего поколения, это не мешает некоторым производителям готовиться к запуску DDR5 в полном объёме. На…

Micron начала отгрузки новой мобильной памяти LPDDR5 DRAM, смартфон Xiaomi Mi 10 получит ее одним из первых

Новости Новости 07.02.2020 в 10:56 comment
Компания Micron Technology на этой неделе объявила о начале серийного производства и первых поставках микросхем оперативной памяти LPDDR5 DRAM, которая значительно быстрее и энергоэффективнее…

Micron начала поставки образцов модулей памяти DDR5 RDIMM

Новости Новости 06.01.2020 в 18:37 comment
Компания Micron объявила о начале поставок ознакомительных образцов модулей памяти RDIMM на базе новых микросхем DDR5 ключевым OEM-партнерам для разработки модулей памяти следующего поколения,…

Micron получила лицензию на поставки микросхем памяти DRAM и NAND компании Huawei

Новости Новости 20.12.2019 в 08:56 comment
Включение Huawei в чёрный список и вытекающие из этого ограничения значительно подпортили жизнь не только китайскому промышленному гиганту, но и усложнили американским компаниям ведение…

До 9 ГБ/с и 2,5 млн IOPS. Представлен самый быстрый SSD Micron X100 на базе памяти 3D XPoint

Новости Новости 25.10.2019 в 13:55 comment
Компания Micron подготовила к выпуску твердотельный накопитель X100, который производитель называет самым быстрым в мире устройством в своём классе.

«Эра терабайтных карт памяти началась». Micron и SanDisk представили карты microSD емкостью 1 ТБ

Новости Новости 25.02.2019 в 18:01 comment
В рамках проведения выставки Mobile World Congress 2019 были представлены первые карты памяти формата microSD, обладающие ёмкостью 1 ТБ. Такие устройства предлагаются в рамках брендов Micron и SanDisk.

«2,66 ТБ в одной микросхеме»: Toshiba Memory создала прототип 96-слойной флэш-памяти QLC NAND

Новости Новости 20.07.2018 в 12:53 comment
В прошлом месяце Micron пообещала начать поставки 96-слойной флэш-памяти 3D NAND, что в теории должно привести к удешевлению SSD, во втором полугодии. Теперь же о создании 96-слойного кристалла…

Micron начнет поставки 96-слойной флэш-памяти 3D NAND во второй половине года

Новости Новости 22.06.2018 в 14:48 comment
Сегодня массово выпускаются 64-слойные микросхемы памяти 3D NAND (лишь SK Hynix делает 72-слойные чипы), но, как мы сообщали недавно, к концу этого года ожидается освоение серийного выпуска 96-слойных…

Micron начала поставки первых в отрасли SSD на базе памяти QLC NAND

Новости Новости 23.05.2018 в 09:47 comment
Компания Micron сообщила о начале поставок первого в отрасли твердотельного накопителя, созданного на базе технологии QLC (quad-level cell) NAND. У нового SSD Micron 5210 ION показатель плотности хранения данных…

Applied Material: Через три года память 3D NAND будет содержать более 140 слоев ячеек

Новости Новости 16.05.2018 в 13:58 comment
На сегодняшний день самая передовая серийно выпускаемая флэш-память NAND с вертикальной объемной компоновкой имеет 64-слойную структуру (лишь SK Hynix делает 72-слойные чипы флэш-памяти 3D NAND). В…

Cadence и Micron продемонстрировали работающий прототип модуля памяти DDR5-4400

Новости Новости 05.05.2018 в 10:30 comment
JEDEC еще предстоит закончить разработку и утвердить финальные спецификации нового стандарта оперативной памяти DDR5, которая тоже будет использовать нормы 7 нм. Это событие ожидается не ранее…

У Micron и Samsung имеются проблемы с выработкой годных чипов памяти DRAM по 1х-нм техпроцессам

Новости Новости 31.03.2017 в 09:35 comment
По данным тайванских СМИ, компания Micron испытывает проблемы с переходом на 1х-нанометровые технологические процессы изготовления чипов памяти DRAM. В частности, у компании наблюдаются низкие…

Micron анонсировала корпоративные SSD 5100 Series рекордной ёмкости

Новости Новости 11.12.2016 в 09:47 comment
Компания Micron заявила о выпуске нового твердотельного накопителя, который обладает рекордной ёмкостью в своём классе. Как отмечает производитель, SSD 5100 Series может иметь ёмкость до 8 ТБ, что в 2…

3D NAND: прорыв памяти в трёхмерное пространство

Статьи Устройства 26.09.2016 в 14:20 comment
Быстрые, бесшумные и совсем не греющиеся SSD-диски давно уже стали привычным компонентом домашних ПК даже среднего уровня. Вот только сравнительно высокая стоимость за гигабайт места…

Micron и Intel предлагают флеш-память 3D NAND для SSD объемом более 10 ТБ

Компании Micron и Intel представили микросхемы флеш нового поколения, которые позволят существенно увеличить емкость твердотельных накопителей, улучшат производительность и надежность SSD.…

Micron начала массовое производство памяти на основе фазового перехода

Новости Новости 19.07.2012 в 16:20 comment
Компания Micron сообщила о начале массового производства памяти на базе технологии фазового перехода (PCM — Phase Change Memory). Отмечается, что Micron стала первой компанией в отрасли, начавшей массовый…

Hynix и Micron занялись поиском новых партнеров после анонса сделки между Apple и Anobit

Новости Новости 27.12.2011 в 09:36 comment
Как сообщалось некоторое время назад, компания Apple купила израильскую компанию Anobit, которая специализируется на разработке технологий хранения данных с использованием флэш-памяти.…

Intel и Micron создали первый в мире флэш-чип MLC NAND емкостью 128 Гб

Компании Intel и Micron сообщили о создании первой в мире флэш-памяти NAND с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell) емкостью 128 Гб, изготовленной по нормам 20-нанометрового технологического…

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: