Компания Intel разработала новую флеш-память 3BPC (three bit-per-cell) NAND. Новинка изготавливается по нормам 25-нанометрового технологического процесса. В отличие от существующих в настоящее время типов памяти NAND, новая разработка обеспечивает возможность хранения трех бит данных в одной ячейке, что позволяет создавать более емкие чипы памяти при меньших размерах. Так, по заверениям Intel, микросхема 3BPC емкостью 8 ГБ имеет размеры на 20% меньше, чем существующие аналоги такой же емкости, выполненные по нормам такого же технологического процесса.
Однако отмечается, что новая разработка обладает некоторыми недостатками. В частности, ее производительность находится на более низком уровне, чем у памяти у MLC (multi-levell-cell) NAND. Также память 3BPC не столь долговечна, как существующие типы памяти NAND. Потому новая разработка не будет применяться в твердотельных накопителях, для которых параметры надежности, долговечности и производительности достаточно актуальны. Однако чипы памяти 3BPC NAND могут использоваться в составе мультимедийных проигрывателей, смартфонов, карт памяти, USB-флеш-накопителей. В таких устройствах производители смогут увеличить емкость без увеличения их массы.
Сообщается, что некоторые клиенты Intel уже получили в свое распоряжение образцы чипов флеш-памяти 3BPC NAND. Как ожидается, выпуск конечных устройств на базе таких чипов начнется уже до конца этого года.
Контент сайту призначений для осіб віком від 21 року. Переглядаючи матеріали, ви підтверджуєте свою відповідність віковим обмеженням.
Cуб'єкт у сфері онлайн-медіа; ідентифікатор медіа - R40-06029.