Intel разработала флеш-память 3BPC (three bit-per-cell) NAND

Компания Intel разработала новую флеш-память 3BPC (three bit-per-cell) NAND. Новинка изготавливается по нормам 25-нанометрового технологического процесса. В отличие от существующих в настоящее время типов памяти NAND, новая разработка обеспечивает возможность хранения трех бит данных в одной ячейке, что позволяет создавать более емкие чипы памяти при меньших размерах. Так, по заверениям Intel, микросхема 3BPC емкостью 8 ГБ имеет размеры на 20% меньше, чем существующие аналоги такой же емкости, выполненные по нормам такого же технологического процесса.

Однако отмечается, что новая разработка обладает некоторыми недостатками. В частности, ее производительность находится на более низком уровне, чем у памяти у MLC (multi-levell-cell) NAND. Также память 3BPC не столь долговечна, как существующие типы памяти NAND. Потому новая разработка не будет применяться в твердотельных накопителях, для которых параметры надежности, долговечности и производительности достаточно актуальны. Однако чипы памяти 3BPC NAND могут использоваться в составе мультимедийных проигрывателей, смартфонов, карт памяти, USB-флеш-накопителей. В таких устройствах производители смогут увеличить емкость без увеличения их массы.

Сообщается, что некоторые клиенты Intel уже получили в свое распоряжение образцы чипов флеш-памяти 3BPC NAND. Как ожидается, выпуск конечных устройств на базе таких чипов начнется уже до конца этого года.