В рамках проведения ежегодной конференции Needham 5th Annual HDD & Memory Conference компания OCZ поделилась некоторой информацией о своих планах выпуска новых твердотельных накопителей для потребительского и корпоративного сегментов рынка.
В частности, в начале следующего года планируется вывести на рынок твердотельные накопители, основанные на флэш-чипах TLC (three bit per cell) NAND. Отмечается, что чипы памяти TLC NAND обладают меньшей стоимостью изготовления по сравнению с флэш-чипами MLC (multi-level cell) NAND — приблизительно, на 30%. Таким образом, использование флэш-чипов TLC NAND позволит значительно снизить цену конечных твердотельных накопителей. Потребительские SSD на базе чипов TLC NAND должны появиться на рынке в первом квартале 2012 года. Минимальный срок эксплуатации таких устройств составит 4 года, чего вполне достаточно для большинства систем потребительского уровня. Кроме того, в третьем квартале 2012 года планируется начать использование флэш-чипов TLC NAND и в твердотельных накопителях корпоративного класса. Недостатки, присущие чипам TLC NAND, инженеры OCZ предлагают устранять за счет использования оптимизированного механизма коррекции ошибок ECC и технологии Indilinx nDurance 2, оптимизирующей загрузку и износ ячеек памяти, что позволит увеличить их жизненный цикл в 2 раза.
Также отмечается, что в январе 2012 года будут выпущены новые высокопроизводительные контроллеры Indilinx, предназначенные для использования в составе потребительских твердотельных накопителей. Они смогут обслуживать накопители с интерфейсами подключения SATA и PCI-Express. Для них заявлена поддержка чипов флэш-памяти TLC NAND и 70000 операций ввода-вывода в секунду. Во втором квартале 2012 года компания OCZ намерена выпустить новое поколение контроллеров для SSD корпоративного класса. В них также будет внедрена поддержка флэш-чипов TLC NAND, интерфейсом подключения SATA и PCI-Express. Однако в данном случае дополнительно заявлена поддержка технологии nDurance, что призвано продлить срок службы накопителей, а количество операций ввода-вывода в секунду увеличено до 100000.
Кроме того, в следующем году на рынок поступят новые твердотельные накопители корпоративного класса Intrepid 3, основанные на платформе Indilinx Everest. Их подробные технические характеристики пока не сообщаются, известно лишь, что емкость таких устройств составит 1 ТБ.
Дополнительно компания OCZ сообщила, что в январе будет представлена технология SSD, обладающая поддержкой спецификации NVM Express. Таким образом, можно будет создавать твердотельные накопители, обеспечивающие до 3,2 млн операций ввода-вывода в секунду. Также NVM Express обеспечит поддержку флэш-чипов TLC NAND, существующей архитектуры OCZ VCA 2.0 и будущей архитектуры OCZ VCA 3.0. Сроки выхода конечных устройств на базе новой технологии пока не разглашаются, но они должны поступить на рынок в 2012 году.