Rambus и Kingston улучшат память DDR3

Компании Rambus и Kingston анонсировали совместную разработку прототипа многопоточного модуля памяти, использующего технологию DDR3 DRAM. Первоначальный прототип демонстрирует увеличение пропускной способности чипа на 50%, при этом наблюдается снижение энергопотребления на 20% по сравнению с используемыми в настоящее время модулями.

Данная разработка позиционируется для применения в составе серверов, рабочих станций, настольных компьютеров и ноутбуков, которые содержат многоядерные процессоры, выполняют ресурсоемкие приложения и активно используют ресурсы подсистемы памяти. В результате можно обеспечить прирост производительности таких систем без существенного обновления конфигурации. Кроме того, снижение энергопотребления и тепловыделения особенно актуально для ноутбуков.

Первая демонстрация новых чипов памяти состоится на мероприятии Intel Developer Forum 2009, которое будет проходить в Сан-Франциско с 22 по 24 сентября. О сроках начала коммерческой эксплуатации новинок и уровне их предполагаемых цен пока не сообщается.