Компания Samsung сообщила о начале производства первых в отрасли высокоскоростных чипов мобильной памяти LPDDR3 (low power double data rate 3) емкостью 4 Гб, которые изготавливаются по нормам технологического процесса 20-нанометрового класса.
Как отмечает производитель, новые чипы памяти LPDDR3 емкостью 4 Гб обеспечивают производительность, сопоставимую со стандартной памятью DRAM, которая применяется в компьютерах. Новинка предназначена для применения в составе мобильных устройств следующего поколения (смартфонах и планшетах), к которым предъявляются требования высокой производительности при выполнении мультимедийных задач.
Представленное устройство способно осуществлять передачу данных со скоростью 2133 Мб/с для каждого контакта. Этот показатель более чем в 2 раза превосходит возможности мобильной памяти LPDDR2 (800 Мб/с). Если же сравнивать новинку с чипами памяти LPDDR3, изготовленными по нормам технологического процесса 30-нанометрового класса, то прирост производительности составляет 30%. Вместе с тем новый чип потребляет на 20% меньше энергии. Чип имеет компактные размеры. OEM производители смогут комбинировать четыре таких чипа в одной упаковке, высота которой составит 0,8 мм, а суммарная емкость — 2 ГБ.