Память

HyperX объявила о начале сотрудничества с HP и представила новые сверхбыстрые модули памяти Predator DDR4 / DDR4 RGB

12

Samsung начал массовое производство второго поколения 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR4X с меньшим энергопотреблением и габаритами

4

Samsung анонсировал новую 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR5 (8 ГБ) со скоростью 6400 Мбит/с и на 30% меньшим энергопотреблением

29

Samsung начала массовое производство чипов памяти V-NAND пятого поколения для смартфонов и суперкомпьютеров

2

«Ваше лицо — это ваш пароль»: Apple сняла «нервное» видео, в котором рекламирует функцию Face ID на iPhone X

56

Samsung начала массовое производство модулей DDR4 RDIMM объемом 64 ГБ на базе кристаллов DRAM плотностью 16 Гбит

19

Cadence и Micron продемонстрировали работающий прототип модуля памяти DDR5-4400

30

Western Digital представила самую быструю в своем классе карту памяти microSD объемом 400 ГБ

31

Xi’an UniIC Semiconductors первой среди китайских производителей начинает продажи чипов и модулей памяти DDR4

19

Samsung начал серийное производство первых в индустрии 2 ГБ модулей видеопамяти GDDR6 для видеокарт следующего поколения

29

Samsung начала выпускать Aquabolt — самую быструю память HBM2 объемом 8 ГБ

10

Samsung выпустила встраиваемую флэш-память объемом 512 ГБ для смартфонов

42

Новая карта памяти SanDisk microSD рекордного объема 400 ГБ стоит $250

66

Western Digital создала 64-слойную флэш-память 3D NAND X4 (BiCS3), способную хранить четыре бита в одной ячейке

16

Samsung наращивает производство чипов памяти HBM2 объёмом 8 ГБ

7

ADATA представила DDR4-модули памяти XPG SPECTRIX D40 RGB с поддержкой настраиваемой подсветки ASUS AURA Sync

19

ADATA представила SSD-накопитель S10 (PCIe Gen3x4 NVMe 1.2) с усиленным охлаждением и модуль памяти D10 DDR4 из новой геймерской линейки XPG GAMMIX

6

TrendForce: Средний объем ОЗУ в смартфонах 2017 модельного года составит 3,2 ГБ (на 33% больше, чем в прошлом году), а iPhone 8 не получит 4 ГБ ОЗУ

57

ADATA представила SD-карты памяти SLC Industrial (ISDD361) для использования в экстремальных условиях

8

Silicon Power увеличивает объем карт памяти Superior Pro SDXC UHS-I (U3) и Elite microSDXC UHS-I (U1) до 256 ГБ

6

SK Hynix анонсировала первую 72-слойную флэш-память 3D-NAND для нового поколения SSD

13

JEDEC анонсировала разработку памяти DDR5, которая будет вдвое быстрее нынешней DDR4

41

Ученые IBM создали «атомарный» жесткий диск

100

Micron выпустит память GDDR6 в конце этого года

32

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: