Samsung начала производство памяти V-NAND нового поколения: +33% производительности, -10% энергопотребления

Samsung объявила о начале массового производства флеш-памяти V-NAND 9 поколения, которая предлагает прирост на 33% по сравнению с ныне актуальной. В этом месяце стартует производство TCL V-NAND емкостью 1 Тбит, QLC поступит во второй половине 2024 года. Ранее начало производства подтверждали неофициальные источники, из которых также известно, что память имеет 290+ слоев.