Компания Samsung заявила об увеличении объёмов производства памяти HBM2 (High Bandwidth Memory-2) объёмом 8 ГБ. Такой шаг стал следствием увеличивающегося спроса на такую память. Она применяется в широком перечне приложений, включая искусственный интеллект, высокопроизводительные компьютеры, производительные графические решения, сетевые системы и корпоративное серверное оборудование.
Отмечается, что память Samsung HBM2 ёмкостью 8 ГБ обеспечивает высокую производительность, надёжность и энергоэффективность. В ней применяется множество запатентованных технологических решений. Чип памяти HBM2 объёмом 8 ГБ состоит из восьми 8-гигабитных HBM2-матриц и буферной матрицы в нижней части стека, которые все вертикально связаны между собой при помощи технологии TSV (Through Silicon Via).
Каждый слой включает более 5 тыс. соединений TSV, а весь чип Samsung HBM2 объёмом 8 ГБ – более 40 тыс. соединений. Использование столь большого количества соединений, включая запасные, обеспечивает высокую производительность и обеспечивает возможность переключения потоков данных на разные соединения TSV в случае возникновения задержек передачи. Память HBM2 разработана таким образом, чтобы избежать перегрева выше определённой температуры, что обеспечивает высокую надёжность.
Память HBM2 впервые была представлена в июне 2016 года. Она обеспечивала пропускную способность передачи данных на уровне 256 ГБ/с, что в 8 раз превосходит возможности чипов памяти GDDR5 DRAM (32 ГБ/с). Благодаря удвоению ёмкости чипов с 4 ГБ до 8 ГБ удалось повысить производительность и энергоэффективность систем.
Samsung ожидает, что объём производства памяти HBM2 объёмом 8 ГБ составит более 50% производства всей памяти HBM2 в первой половине следующего года.
Источник: techpowerup