Samsung первой объявила о начале массового производства вертикальных микросхем памяти

Одной из основных проблем, с которой производители сталкиваются при производстве микросхем флеш-памяти большой емкости, является переход на более тонкие технологические нормы с целью сохранения прежних физических размеров. По мнению Samsung, которой удалось найти временное решение данной проблемы, уменьшать техпроцесс больше нельзя, так как это влечет за собой быстрое ухудшение характеристик микросхем. Южнокорейский индустриальный гигант решил не изобретать велосипед заново и официально объявил о начале массового производства исполненных по нормам 20-нм техпроцесса микросхем флеш-памяти с вертикальной компоновкой, которые получили название 3D Vertical NAND или 3D V-NAND.

В микросхемах 3D V-NAND компания Samsung применила архитектуру «ловушки для заряда» (Charge Trap Flash, CTF). Применение CTF наряду с вертикальными каналами металлизации, которые соединяют многослойную стековую комбинацию из кристаллов флеш-памяти, позволило повысить не только надежность (в 2-10 раз) и плотность памяти (24 кристалла в одном стеке), но и скорость записи данных (в 2 раза). В отличие от выпускаемой сейчас памяти, в CTF отсутствует плавающий затвор.

Первые образцы микросхем памяти 3D V-NAND не отличаются рекордной емкостью – всего 128 Гбит (16 ГБ), но в обозримом будущем Samsung обещает микросхемы емкостью 1 Тбит (128 ГБ).