Samsung начинает производство 20-нанометровых флэш-чипов емкостью 64 ГБ

Компания Samsung сообщила о начале производства чипов флэш-памяти three-bit-cell NAND, изготавливаемых по нормам 20-нанометрового технологического процесса. Такие чипы имеют емкость 64 ГБ, что в 2 раза превосходит емкость предыдущих моделей. Отмечается, что благодаря использованию 20-нанометрового технологического процесса продуктивность производства возросла на 60% по сравнению с 30-нанометровой технологией.

Новинки изготавливаются на базе технологии Toggle DDR, что обеспечивает высокую скорость обмена данными устройств с флэш-чипами. Новые 20-нанометровые флэш-чипы three-bit-cell NAND предназначены для применения в составе портативных устройств, твердотельных накопителей, USB-флэш-накопителей, камкордеров и смартфонов. Samsung отмечает, что производимые ею флэш-чипы применяются в таких устройствах как AppleTV, iPod Touch и iPad. Samsung занимает около 40% мирового рынка по выпуску флэш-чипов.