Компания Samsung сообщила, что ей первой удалось разработать чипы флэш-памяти MLC (multi-level-cell) NAND на базе технологии Toggle DDR (Double Data Rate) 2.0. Данные новинки обладают емкостью 64 Гб (8 ГБ) и могут производиться по нормам 20-нанометровых технологических процессов. Они предназначены для применения в составе смартфонов, планшетов и твердотельных накопителей.
Благодаря использованию технологии Toggle DDR 2.0 новые флэш-чипы обеспечивают скорость передачи данных на уровне 400 Мб/с, что в 10 раз превосходит возможности устройств SDR (Single Data Rate) NAND (40 Мб/с) и в 3 раза — устройств Toggle DDR 1.0 (133 Мб/с). Таким образом, представленные чипы обеспечат существенный прирост производительности в смартфонах нового поколения и твердотельных накопителях с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных до 6 Гб/с).
Отмечается, что компания Samsung уже приступила к производству флэш-чипов памяти MLC NAND на базе технологии Toggle DDR 2.0 емкостью 64 Гб, и в скором времени они появятся в составе устройств потребительской электроники.