DRAM y NAND en un solo chip — los investigadores crean una memoria con cambio de fase que consume poca energía
Investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea del Sur (KAIST) han desarrollado un nuevo tipo de memoria de cambio de fase que no presenta los inconvenientes de las iteraciones anteriores de esta tecnología.
Samsung inicia la producción de la nueva generación de memorias V-NAND: +33% de rendimiento y -10% de consumo energético
Samsung anunciado ha anunciado el inicio de la producción en masa de su memoria flash V-NAND de 9ª generación, que ofrece un aumento del 33% respecto a la tecnología actual. La producción de la V-NAND TCL de 1 TB comenzará este mes, y la QLC llegará en la segunda mitad de 2024. Anteriormente, el inicio de la producción fue confirmado por…