Samsung готується анонсувати нове покоління флешпам’яті QLC NAND V9, яка має щільність 28,5 Гбіт/мм², що робить її найщільнішою твердотільною пам’яттю на сьогодні з великим відривом від конкурентів.
Це майже на 50% щільніше, ніж 232-шарова QLC NAND флешпам’ять YMTC з щільністю 20,63 Гбіт/мм², яка раніше була найщільнішою флешпам’яттю в індустрії, випереджаючи 232-шарову TLC-пам’ять Micron, яка має щільність 19,5 Гбіт/мм².
V9 також не буде повільною, оскільки, як повідомляє Tom’s Hardware, V9 QLC від Samsung має максимальну швидкість передачі даних 3,2 Гбіт/с. Це значно швидше, ніж у попередніх продуктів на базі QLC, які пропонують 2,4 Гбіт/с. Швидкість була основною проблемою QLC в минулому, і нова флешпам’ять NAND V9 від Samsung свідчить про те, що компанія зробила кроки для розв’язання цієї проблеми. Зі швидкістю 3,2 Гбіт/с (на чип) V9 має бути більш ніж достатньо для використання у твердотільних накопичувачах PCIe. Звичайно, ще належить з’ясувати, як вона працює на практиці.
Якщо продуктивність буде достатньо високою, то нова флешпам’ять Samsung на основі QLC може докорінно змінити ландшафт споживчих SSD в кінці цього року. Швидше за все, QLC все ще не зможе обслуговувати високопродуктивні SSD, наприклад, ті, що підтримують швидкість передачі даних PCIe 5.0, але вона повинна добре підходити для PCIe-накопичувачів нижчого рівня.
Залежно від ринкового попиту, Samsung також може запропонувати накопичувач V9 QLC M.2 понад 8 ТБ, що є найвищою місткістю серед усіх споживчих накопичувачів M.2 сьогодні. Можливо, Samsung навіть зможе випустити односторонній накопичувач на 8 ТБ, або 16 ТБ у двосторонньому виконанні.
Згідно зі звітом Samsung за 2022 рік, Samsung практично повністю зосередиться на розробці QLC. Оскільки флешархітектура TLC починає вичерпувати свої можливості з точки зору початкової місткості (як і SLC та MLC до неї), QLC — це майбутнє для виробників твердотільних накопичувачів, які хочуть продовжувати розширювати межі місткості SSD для масового споживача.