Компанія Micron розсилає дослідні зразки того, що за її твердженням є найбільш передовою у світі технологією DRAM. Після масового постачання 1-alpha 2021 року нова 1-beta LPDDR5X нібито краща практично з усіх боків. За даними Micron, вузол приблизно на 15% енергоефективніший і забезпечує більш ніж 35% поліпшення бітової щільності за місткості 16 Гбіт на кристал.
Виконавчий директор Micron Скотт ДеБоер розповів, що ця технологія втілена в життя завдяки запатентованому компанією способу літографії з кількома патернами у поєднанні з передовими технологічними процесами та матеріалами. За допомогою нового процесу літографії Micron змогла обійти технологію екстремального ультрафіолетового випромінювання (EUV), яку виробники використовують останнім часом.
Мобільні пристрої першими скористаються перевагами нової технології Micron. Штучний інтелект та інші програми, що працюють з великим обсягом даних зможуть ефективніше використовувати збільшену пропускну здатність. Навіть базові застосунки, як камера, виграють від скорочення часу запуску та підвищення продуктивності у нічному та портретному режимах. Оперативна пам’ять, що вимагає менше енергії призведе до збільшення часу автономної роботи.
Компанія Micron також впровадила нові методи розширеного динамічного масштабування напруги та частоти JEDEC (eDVFSC). За даними компанії, додавання eDVFSC забезпечує частоту до 3200 Мбіт/с (1600 Мбіт/с у версії 1-alpha).
Минулого місяця Micron оголосила про плани витратити до $100 млрд протягом наступних двох десятиліть на будівництво заводу з виробництва напівпровідників світового класу у північній частині штату Нью-Йорк. Це найбільша приватна інвестиція в історії Нью-Йорка. Нещодавно ухвалений закон CHIPS проклав шлях для Micron до будівництва в США, а не за кордоном.
Micron заявила, що протягом наступного року планує наростити свій портфель продуктів з використанням 1-beta – включно з клієнтським, споживчим, промисловим, вбудованим і автомобільним сегментами, а також сферою ЦОД.
Джерело: TechSpot