Samsung Exynos / Samsung
У наступному поколінні чипів Exynos 2600 компанія Samsung планує впровадити технологію Heat Pass Block. Вона створена для того, щоб значно покращити відведення тепла від чипа і, як наслідок, підвищити його продуктивність.
За останніми даними галузевих джерел, підрозділ розробки чипів Samsung уперше планує інтегрувати в чипи Exynos 2600 новий компонент — Heat Pass Block (HPB). По суті, це звичайний радіатор (скоріш за все мідний), який розташовується всередині чипа. Концепція не нова, бо схожий підхід застосовувався до монтажу оперативної пам’яті в попередніх моделях Exynos.
Обидва компоненти (HPB і DRAM) розміщуватимуться над процесорною логікою Exynos 2600 і запаковуватимуться в один чип за допомогою технології Fan-out Wafer Level Packaging. Остання, своєю чергою, передбачає монтаж чипа не у стандартний корпус, а одразу у пластикову або епоксидну підкладку.
Нескладно здогадатися, що додатковий радіатор всередині Exynos 2600 забезпечить ефективніший відвід тепла від усіх гарячих компонентів чипа. А враховуючи появу нових високопродуктивних конкурентів, таких як Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2, цей інженерний підхід може стати вирішальним для збереження конкурентоспроможності Samsung. Нагадаємо, що прототип Samsung Exynos 2600 вже «засвітився» у синтетичних бенчмарках із доволі непоганими результатами.
Джерело: Wccftech
Контент сайту призначений для осіб віком від 21 року. Переглядаючи матеріали, ви підтверджуєте свою відповідність віковим обмеженням.
Cуб'єкт у сфері онлайн-медіа; ідентифікатор медіа - R40-06029.