Samsung почала виробництво пам’яті V-NAND нового покоління: + 33% продуктивності, -10% енергоспоживання

Samsung оголосила про початок масового виробництва флешпам’яті V-NAND 9 покоління, яка пропонує приріст на 33% у порівнянні з нині актуальною. Цього місяця стартує виробництво TCL V-NAND місткістю 1 Тбіт, QLC надійде у другій половині 2024 року. Раніше початок виробництва підтверджували неофіційні джерела, з яких також відомо, що пам’ять має 290+ шарів.