Samsung представила новий чип пам’яті HBM3E 12H із «найвищою ємністю» для ШІ

Опубликовал
Юрій Орос

Samsung Electronics анонсувала новий чип пам’яті з високою пропускною здатністю, який має «найвищу ємність» в галузі. Південнокорейський гігант стверджує, що HBM3E 12H «підвищує продуктивність понад як на 50%».

Постачальники послуг штучного інтелекту все частіше потребують HBM з більшою ємністю, і наш новий продукт HBM3E 12H був розроблений, щоб задовольнити цю потребу.

Це нове рішення пам’яті є частиною нашого прагнення розробити основні технології для високостекових накопичувачів HBM і забезпечити технологічне лідерство на ринку накопичувачів великої ємності в епоху штучного інтелекту

— Йонгчеол Бе, виконавчий віцепрезидент щодо продуктів пам’яті в Samsung Electronics.

Samsung Electronics є найбільшим у світі виробником мікросхем динамічної пам’яті з довільним доступом, які використовуються в споживчих пристроях, таких як смартфони та комп’ютери.

Онлайн-курс "Лідогенерація у B2B" від Laba.
Де шукати нових клієнтів, щоб збільшити дохід компанії та які інструменти лідогенерації застосовувати? Розбираємо покроково та комплексно.
Дізнатись більше про курс

Моделі генеративного ШІ, як-от ChatGPT від OpenAI, потребують великої кількості високопродуктивних чипів пам’яті. Вони дають змогу моделям генеративного ШІ запам’ятовувати деталі минулих розмов і вподобання користувачів, щоб генерувати відповіді, схожі на людські.

Samsung повідомила, що вже почала надавати зразки клієнтам, а масове виробництво HBM3E 12H заплановано на першу половину 2024 року. У вересні Samsung уклала угоду на постачання Nvidia своїх мікросхем пам’яті з високою пропускною здатністю, передає CNBC.

HBM3E 12H має 12-шаровий стек, але при цьому застосовується вдосконалена термокомпресійна непровідна плівка, яка дає змогу 12-шаровим продуктам бути такими ж високими, як і 8-шарові, щоб відповідати поточним вимогам до пакування HBM. Результатом є чип, який містить більше місткості в тих же фізичних розмірах.

Samsung продовжує зменшувати товщину свого NCF-матеріалу і досягла найменшого в галузі зазору між мікросхемами на рівні семи мікрометрів (мкм), одночасно усуваючи порожнечі між шарами. Ці зусилля призвели до підвищення вертикальної щільності понад як на 20% у порівнянні з HBM3 8H.

Disqus Comments Loading...