Samsung розробила пам’ять GDDR6W з подвійною ємністю та продуктивністю проти GDDR6

Компанія Samsung повідомила про створення графічної пам’яті нового типу GDDR6W. Основними сферами її застосування називають високопродуктивні графічні рішення та застосунки віртуальної реальності.

Нова пам’ять GDDR6W заснована на рішеннях Samsung GDDR6 (x32) та доповнена технологією Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), яка значно збільшує пропускну здатність та місткість пам’яті за збереження колишніх розмірів пакування. Завдяки незмінній площі нові мікросхеми пам’яті можна легко використовувати в тих же виробничих процесах, які клієнти застосовували для пам’яті GDDR6.

Технологія FOWLP передбачає монтаж кристала пам’яті безпосередньо на кремнієвій пластині, а не на платі. При цьому застосовується технологія RDL (Re-distribution layer), яка забезпечує тонші схеми розведення. Крім того, відсутність друкованої плати зменшує товщину корпусу та покращує розсіювання тепла. В результаті Samsung змогла вдвічі збільшити кількість мікросхем пам’яті в пакуванні, подвоїти місткість графічної пам’яті DRAM – з 16 Гбіт до 32 Гбіт, а також подвоїти пропускну здатність та кількість операцій введення-виводу – з 32 до 64. Іншими словами, площа, необхідна для пам’яті, була зменшена на 50% порівняно з попередніми моделями.

Наголошується, що технологія GDDR6W може підтримувати пропускну здатність рівня HBM на системному рівні. Так, HBM2E забезпечує швидкість передачі даних 3,2 Гбіт/с на контакт і має пропускну здатність на системному рівні 1,6 ТБ/с. Для GDDR6W ці показники становлять 22 Гбіт/с на контакт та 1,4 ТБ/с на системному рівні на основі 512 контактів введення-виведення.

Samsung завершила стандартизацію GDDR6W в організації JEDEC у другому кварталі цього року. Компанія має намір розширити сферу застосування GDDR6W на пристрої малого формфактора, такі як ноутбуки, а також на нові високопродуктивні прискорювачі, що використовуються для додатків ШІ та HPC.

Джерело: videocardz

Disqus Comments Loading...