Исследователи Корейского передового института науки и технологий (KAIST) в Южной Корее разработали новый тип памяти со сменой фазы, который не имеет недостатков предыдущих итераций этой технологии.
Память со сменой фазы, или сокращенно PCM, работает путем перехода между двумя физическими состояниями: кристаллизованным (с низким сопротивлением) и аморфным (с высоким сопротивлением). Она оптимально сочетает свойства DRAM и флэш-памяти NAND.
DRAM является быстрой, но энергозависимой, то есть данные, хранящиеся в ней, исчезают в случае прекращения питания. NAND, используемая в SSD, может сохранять данные даже при отключении питания, но медленнее, чем DRAM.
PCM является быстрым и энергонезависимым типом памяти, но традиционно дорогой в производстве и энергоемкий. Тепло требуется, чтобы расплавить фазовый материал до аморфного состояния, что препятствует энергоэффективности. Предыдущие усилия по решению проблемы высокого энергопотребления были сосредоточены на уменьшении физического размера устройства с помощью передовых методов литографии. Улучшения были номинальными, а увеличение стоимости и сложности, связанные с изготовлением, не было оправданным.
Профессор Шинхюн Чой и его команда разработали метод уменьшения только компонентов, которые непосредственно участвуют в процессе изменения фазы, чтобы создать нанонитку с переменной фазой. Новый подход сокращает энергопотребление в 15 раз по сравнению с традиционной памятью с изменением фазы, а также намного дешевле в производстве.
Новая память сохраняет многие характеристики традиционной памяти, такие как высокая скорость, большой коэффициент включения/выключения, небольшие вариации и свойства многоуровневой памяти.
Исследователи ожидают, что результаты их работы станут основой будущей электронной инженерии. Исследование команды было опубликовано в журнале Nature в начале апреля.
Источник: TechSpot