DRAM

MSI ожидает, что память DDR5 будет на 50-60% дороже DDR4

SK Hynix анонсировала память HBM3 с рекордной пропускной способностью — 819 ГБ/с

G.Skill анонсировала наборы модулей памяти Trident Z5 DDR5 с частотой до 6400 МГц

Samsung начала массовый выпуск памяти DDR5 — по техпроцессу 14-нм с использованием EUV-литографии

JEDEC утвердила стандарт высокоскоростной памяти LPDDR5X — с пропускной способностью до 8533 Мбит/с

Стартовали продажи новой линейки высокопроизводительной памяти Kingston FURY (серии Renegade, Beast и Impact)

SK hynix начинает массовое производство чипов DRAM по нормам техпроцесса 1a с использованием EUV-литографии

Kingston Technology представила новый бренд товаров для геймеров Kingston FURY (он заменит HyperX, выкупленный HP)

HP завершает сделку по приобретению HyperX

TrendForce: Во втором квартале цены на память DRAM в среднем вырастут на 18-23%, в некоторых сегментах – до 28%

СМИ: SK Hynix получила разрешение на строительство в Южной Корее мега-фабрики за 106 миллиардов долларов

Micron анонсировала HBMnext — следующее поколение высокоскоростной памяти HBM

SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E

Micron получила лицензию на поставки микросхем памяти DRAM и NAND компании Huawei

SK Hynix сообщила о разработке памяти HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с

Patriot выпустила оверклокинговую DRAM-память Viper STEEL DDR4 с рабочей частотой 4400 МГц

Samsung, Micron и Hynix, похоже, не избежать штрафа за ценовой сговор на рынке DRAM

Цены на оперативную память наконец начали снижаться

В 2019 году следует ожидать дальнейшего снижения цен на память NAND, но стоимость памяти DRAM не изменится

Micron начнет поставки 96-слойной флэш-памяти 3D NAND во второй половине года

Samsung, Micron и Hynix грозит штраф до $8 млрд за ценовой сговор на рынке DRAM

Samsung начала выпускать Aquabolt — самую быструю память HBM2 объемом 8 ГБ

Samsung приступила к массовому производству высокоскоростной памяти HBM2 для следующего поколения видеокарт NVIDIA и AMD

Samsung Electronics приступит к массовому производству микросхем DRAM по нормам 18 нм в начале 2016 года


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: