Компания Everspin анонсировала выпуск первых в мире чипов памяти Spin-Torque Magnetoresistive RAM (ST-MRAM), которые позиционируются в качестве альтернативы подсистемам энергонезависимой памяти DRAM.
Новый тип памяти обеспечивает достаточно высокую производительность. По заверениям разработчиков, память ST-MRAM обладает в 500 раз более высокими скоростными характеристиками, чем флэш-память NAND. При этом ее долговечность сопоставима с памятью DRAM. Память ST-MRAM рассматривается отраслевыми аналитиками не как замена флэш-памяти NAND, используемой в современных твердотельных накопителях, а как дополняющее решение. Сами разработчики из компании Everspin заявляют, что чипы ST-MRAM могут использоваться в качестве кэш-буфера в твердотельных накопителях и других системах хранения данных.
На текущий момент компания Everspin освоила производство чипов памяти ST-MRAM емкостью 64 Мб. Однако уже в скором времени планируется увеличить емкость одного чипа до значения 1 Гб и одновременно повысить скоростные характеристики их работы. Первые образцы чипов емкостью 64 Мб уже доступны для заказа заинтересованным производителям компьютерной техники. Эти чипы выполнены в упаковке WBGA и функционально совместимы со спецификацией интерфейса DDR3 промышленного стандарта JEDEC. Устройства обеспечивают до 1,6 млрд передач в секунду для каждого соединения ввода-вывода. Пропускная способность составляет 3,2 ГБ/с при задержках наносекундного уровня. Количество операций ввода-вывода в секунду заявлено на уровне 400 тыс. По словам представителей Everspin, стоимость памяти ST-MRAM, приблизительно, в 50 раз выше стоимости памяти NAND, однако речь идет не о серийном продукте, что и обуславливает высокую стоимость производства. Ожидается, что стоимость 1 ГБ памяти ST-MRAM достигнет сопоставимой стоимости с 1 ГБ памяти DRAM на протяжении 5 лет.