Компании Intel и Micron сообщили о создании первой в мире флэш-памяти NAND с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell) емкостью 128 Гб, изготовленной по нормам 20-нанометрового технологического процесса.
По заверениям разработчиков, новый модуль флэш-памяти обладает в 2 раза увеличенной емкостью и производительностью, чем существующие решения. Он требованиям спецификации ONFI 3.0 и способен достигать скорости 333 МТ/с. Таким образом, на его основе можно создавать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных. В частности, отмечается, что разработанный модуль памяти MLC NAND емкостью 128 Гб позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 Тб (128 ГБ), используя всего 8 таких модулей.
Стороны утверждают, что ключом к успеху в области 20-нанометрового технологического процесса стала инновационная структура ячеек. В данной NAND-памяти впервые используется планарная структура, которая позволяет преодолеть проблемы, сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, присущие предыдущему поколению продуктов. Планарная структура успешно решает сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором путем интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.
К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гб планируется приступить в январе 2012 года, а в первой половине 2012 года — к их серийному производству. Кроме того, стороны объявили о начале массового производства NAND-памяти емкостью 64 Гб, которая также изготавливается по нормам 20-нанометрового технологического процесса.