Компания Samsung Electronics сообщила о том, что ее микросхемы памяти DDR2 DRAM емкостью 1 Gb, выпускаемые по нормам 50 нм технологии производства, прошли сертификационное тестирование корпорации Intel, подтвердившее их работоспособность на скорости 800 Mbps как с существующими, так и c только готовящимися к выпуску чипсетами Intel.
В настоящий момент Samsung является единственным производителем, разработавшим 50 нм техпроцесс для выпуска чипов DDR2 DRAM емкостью 1 Gb. Его запуск в массовое производство ожидается в первой половине 2008 года, затем компания начнет применять аналогичные технологии для других классов DRAM-памяти — в том числе DDR3, GDDR4 и GDDR5, а также мобильной DRAM.
По мнению Samsung, во второй половине 2007 года интерес пользователей к Windows Vista значительно возрастет, что приведет к пропорциональному росту спроса на оперативную память. Как следствие, самыми востребованными на рынке станут компоненты памяти емкостью 1 Gb. При этом массовый переход производителей на выпуск DDR3 DRAM произойдет лишь в конце 2007 года.