Micron Technology сообщила о выпуске первых в индустрии модулей LRDIMM (load-reduced, dual-inline memory module) памяти DDR3. Они собираются из чипов DDR3 2 Гб с уровнем детализации 50 нм и рабочим напряжением 1,35 В.
Уменьшая нагрузку на серверную шину памяти LRDIMM обеспечивают возможности поддержки более высокой тактовой частоты и увеличения емкости. По сравнению с сегодняшними стандартными модулями DDR3 RDIMM новые устройства Micron снижают нагрузку на 50% (dual-rank module) и 75% (quad-rank module). Максимальная же емкость может быть увеличена с 48 до 144 ГБ на один процессор.
С точки зрения производительности Micron 16 ГБ LRDIMM дает выигрыш в 57%. Массовый выпуск таких устройств начнется в 2010 г. Образцы восьмигигабайтовых LRDIMM компания уже предоставляет избранным заказчикам.