Компания Micron разработала новую линейку модулей памяти DDR3, выполненную в формате SODIMM. Согласно официальному пресс-релизу этот продукт обладает высокой производительностью при значительно уменьшенном по сравнению с конкурирующими изделиями энергопотреблении. Новые модули памяти емкостью 2 ГБ уже доступны, а 4-гигабайтные образцы появятся до конца этого года.
Данная разработка построена на базе 1-гигабитных чипов памяти, работающих при напряжении 1,35 В, а стандартным модулям памяти необходимо напряжение 1,5 В. Micron отмечает, что понижение напряжения было произведено не в ущерб производительности — пропускная способность энергоэффективных модулей памяти составляет 1333 Мбит/с. Таким образом специалистам Micron удалось без потерь добиться экономии энергии до 20% в сравнении с конкурирующими продуктами.
В то время как Micron развивает уже существующие технологии, Rambus готовит плацдарм для будущего стандарта DDR4.
Контент сайту призначений для осіб віком від 21 року. Переглядаючи матеріали, ви підтверджуєте свою відповідність віковим обмеженням.
Cуб'єкт у сфері онлайн-медіа; ідентифікатор медіа - R40-06029.