Компания Samsung сообщила о начале массового производства первой в отрасли памяти стандарта LPDDR3 (low power double-data-rate 3) DRAM емкостью 2 ГБ, изготавливаемой по нормам технологического процесса 30-нанометрового класса.
Такая память ориентирована на применение в составе мобильных устройств следующего поколения.
В новой памяти в одной упаковке используется четыре отдельных чипа памяти LPDDR3. При этом такая упаковка занимает мало места на печатной плате мобильного устройства. Эта память будет востребована в планшетах и смартфонах, оснащенных высокопроизводительными процессорами, графической подсистемой и дисплеями с высоким разрешением для обеспечения высокой скорости обмена данными. Новинка позволяет осуществлять передачу данных со скоростью 1600 Мб/с для каждого соединения, что на 50% превосходит скоростные характеристики памяти LPDDR2 DRAM. Таким образом, упаковка LPDDR3 DRAM емкостью 2 ГБ обеспечивает суммарную скорость передачи данных 12,8 ГБ/с, что обеспечивает возможность воспроизведения видео в Full HD разрешении в режиме реального времени.
Так как новая память LPDDR3 DRAM емкостью 2 ГБ уже находится в стадии массового производства, производители конечных устройств уже могут использовать ее в своих продуктах. Ожидается, что уже в скором времени на рынок поступят мобильные устройства, оснащенные новыми высокоскоростными чипами.