Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в индустрии встраиваемых модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 ГБ для смартфонов и планшетов. Они построены на базе новейших микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит.
Производитель подчеркивает, что новые модули флэш-памяти eUFS емкостью 512 ГБ, состоящие из восьми микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит и контроллера, по размерам корпуса идентичны предшественникам емкостью 256 ГБ (там использовали микросхемы 48-слойной флэш-памяти плотностью 256 Гбит), выпушенным в феврале 2016 года. Таким образом, менее чем за два года инженерам Samsung удалось вдвое повысить плотность хранения данных.
По словам производителя, более емкие флэш-накопители предоставят пользователям еще больше возможностей для хранения и работы с высококачественным контентом. Например, флагманский смартфон с накопителем такого объема способен вместить 130 видеороликов длительностью около 10 минут каждый, снятых в разрешении 3840х2160 пикселей. Это в десять раз больше, чем способен вместить современный смартфон с 64 ГБ флэш-памяти.
Что касается скоростных показателей и производительности, скорость последовательного чтения в новых модулях Samsung достигает 860 МБ/с, последовательной записи — 255 МБ/с. Хранящийся в встроенной памяти смартфона видеоролик разрешением 1920х1080 пикселей размером 5 ГБ можно будет скопировать за 6 секунд – в восемь раз быстрее, чем при копировании с карты памяти microSD. Максимальная производительность на операциях с произвольным доступом в режиме чтения заявлена равной 42 000 IOPS, в режиме записи — 40 000 IOPS. Это примерно в 400 раз выше, чем у карт памяти microSD (около 100 IOPS).
Samsung планирует наращивать темпы выпуска новой 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит в условиях расширения производства микросхем прошлого поколения плотностью 256 Гбит.
Когда на рынке появятся первые смартфоны, оснащенные 512 ГБ флэш-памяти, пока данных нет.
Источник: Samsung