Компания SK Hynix заявила о выпуске первых в мире 96-слойных чипов памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит. Фактически эти чипы основаны на технологии 3D TLC, но производитель добавил в название четвёртое измерение за счёт использования дополнительных технологий CTF (Charge Trap Flash, ячейки с ловушкой заряда) и PUC (Peri. Under Cell, перенос переферийных цепей под массив ячеек памяти).
Как заверяет SK Hynix, применяемый подход обеспечивает преимущества по сравнению с распространённым в отрасли методом производства 3D Floating Gate. Технология 4D NAND позволяет уменьшить размеры чипов на 30% и повысить плотность бит на пластину на 49% по сравнению с 72-слойными чипами памяти 3D NAND с такой же ёмкостью 512 Гбит. При этом новая технология обеспечивает прирост производительности в операциях записи на 30%, а в операциях чтения – на 25%. Кроме того, пропускная способность линий ввода-вывода увеличена до 1200 Мбит/с при напряжении питания 1,2 В.
SK Hynix планирует приступить к массовому производству новых чипов памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит до конца текущего года. На их основе будут выпущены потребительские продукты ёмкостью до 1 ТБ, сочетающие также контроллеры и ПО SK Hynix. В первой половине 2019 года на рынке появятся и корпоративные твердотельные накопители на базе новых чипов. Кроме того, в 2019 году компания намерена выпустить 96-слойные чипы памяти TLC и QLC ёмкостью 1 Тбит.
Что же, пока все идет точно в соответствии с недавним прогнозом Applied Material, которая предсказывала, что к 2021 году количество слоев в микросхемах памяти NAND превысит 140.
Источник: techpowerup