Новости и статьи по теме ❝Чипы памяти❞

SK Hynix отгрузила первые образцы «самой многослойной» 176-слойной флэш-памяти 4D NAND

Новости Новости 07.12.2020 в 18:25 comment
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил о создании «самой многослойной в отрасли» 176-слойной флэш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 512 Гбит, способной хранить три бита в одной…

DigiTimes: в этом году флэш-память NAND подорожает — до 40%

Новости Новости 03.01.2020 в 15:17 comment
Ссылаясь на данные отраслевых источников, ресурс DigiTimes заявляет, что контрактные цены на флэш-память NAND в этом году вырастут на величину до 40%. На этом типе памяти, как известно, выпускаются…

SK Hynix начала серийный выпуск первой в мире 128-слойной флэш-памяти 4D NAND

Новости Новости 26.06.2019 в 18:54 comment
Компания SK Hynix сегодня сообщила о начале серийного выпуска первой в отрасли 128-слойной флэш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 1 Тбит, способной хранить три бита в одной ячейке. Эта флэш-память…

Samsung начала массовое производство первых в отрасли чипов памяти eUFS 3.0 ёмкостью 512 ГБ со скоростью чтения до 2100 МБ/с

Новости Новости 27.02.2019 в 15:15 comment
Грядущие смартфоны флагманского уровня будут обеспечивать скорость чтения и записи информации, сопоставимую с возможностями накопителей ноутбуков. Это станет возможным благодаря новым…

В прошлом месяце контрактные цены на флэш-память TLC NAND снизились на рекордные 13-17%

Новости Новости 07.11.2018 в 18:46 comment
Одновременно с оценкой рынка памяти DRAM специалисты DRAMeXchange, подразделения аналитической компании TrendForce, подготовили еще один отчет, касающийся рынка флэш-памяти NAND. Согласно ему, контрактные…

SK Hynix выпустила первый в мире 96-слойный чип памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит

Новости Новости 06.11.2018 в 15:23 comment
Компания SK Hynix заявила о выпуске первых в мире 96-слойных чипов памяти CTF 4D NAND ёмкостью 512 Гбит. Фактически эти чипы основаны на технологии 3D TLC, но производитель добавил в название четвёртое…

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: